Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能

满毅 宗瑞隆 朱永法

引用本文: 满毅, 宗瑞隆, 朱永法. Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能[J]. 物理化学学报, 2007, 23(11): 1671-1676. doi: 10.1016/S1872-1508(07)60080-1 shu
Citation:  MAN Yi, ZONG Rui-Long, ZHU Yong-Fa. Preparation and Photoelectrochemical Properties of Bi2MoO6 Films[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2007, 23(11): 1671-1676. doi: 10.1016/S1872-1508(07)60080-1 shu

Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能

摘要: 采用非晶态配合物法在ITO导电玻璃上制备了Bi2MoO6薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了Bi2MoO6薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系. 结果表明, 500 ℃、1 h焙烧后的Bi2MoO6薄膜为γ-Bi2MoO6晶相, 沿(131)晶面方向生长, 薄膜厚度约为69 nm. 随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长, Bi2MoO6薄膜的平均颗粒度增大, 并且在525 ℃焙烧出现β-Bi2MoO6和γ’-Bi2MoO6晶相. Bi2MoO6薄膜具有可见光响应活性, 在可见光照射下可以产生光电流, 优化条件下的Bi2MoO6薄膜在400 nm的光电转换量子效率可以达到2.14%. 薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响, 可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率.

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  • 发布日期:  2007-11-01
  • 收稿日期:  2007-06-27
  • 网络出版日期:  2007-09-21
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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