采用气固法制备了磷化钼-碳纳米花(MoP-CFs)，通过简单的超声自组装将C₆₀修饰在MoP-CFs表面，形成范德瓦耳斯异质结。研究其电催化析氢性能发现，C₆₀的修饰能够有效降低电催化析氢过电位。其中，10% C₆₀-MoP-CFs样品(10%为C₆₀的质量分数)表现出最佳催化活性，在酸性和碱性条件下达到10 mA·cm^-2的电流密度时，所需要的过电位分别为158和157 mV，并且具有至少20 h的电催化稳定性。C₆₀与MoP-CFs之间强电子耦合作用促进电子由C₆₀迁移到MoP-CFs表面，有助于减小电荷传输阻力，加快电催化析氢界面反应动力学过程。

超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构，提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiⁱPr₃)₂)Cl (1)具有空的4p轨道和孤电子对。针对这2个特点，研究了化合物1的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾Ge₄(NSiⁱPr₃)₄ (2)，与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(IV)：[Ge(N(SiⁱPr₃)₂)(L)Cl] (3)。表征了2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾2本质上是锗异腈的四聚体，分子呈现出畸变的立方体构型，4个Ge原子和4个N原子构成了中心立方体的8个顶点。其中Ge—N键长为0.203 6(3) nm，N—Ge—N与Ge—N—Ge的键角分别为85.51(18)°和94.32(16)°，立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出Ge₄N₄骨架上的20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出4对Ge孤对电子、12个Ge—N键和4个Si—N键的定域轨道，能量分别为-12.22、-15.12和-20.12 eV。Ge孤对电子主要保留了4s电子的特性，而Ge—N键主要由N的2s轨道(18.4%)和2p轨道(71.3%)、Ge的4s轨道(0.75%)和4p轨道(9.43%)综合贡献形成。在化合物3的分子中，Ge^Ⅳ采取sp³杂化，由于空间位阻与非对称配位，与另外4个配位原子形成非对称四面体构型。

铂(Pt)作为优异的氧还原助催化剂，在光催化产H₂O₂方面具有巨大潜力。然而，Pt对O₂的吸附能力过强，易使O―O键裂解，从而降低2电子氧还原反应(ORR)生成H₂O₂的选择性。在本研究中，通过调节助剂结构改变Pt的电子结构，从而削弱Pt―O键的强度。本文通过两步光沉积法在BiVO₄的(010)面上连续修饰了铂和银助催化剂。由于在此过程中存在置换反应，最终合成了一种具有中空AgPt合金核和富电子Pt^δ-壳(AgPt@Pt)结构的协同催化剂。光催化实验结果表明：修饰空心结构AgPt@Pt助剂的BiVO₄产生H₂O₂的速率达到了1021.5 μmol·L^-1，且其对应的量子效率(AQE)为5.07%，是Pt/BiVO₄光催化剂(35.7 μmol·L^-1)的28.6倍。此外，密度泛函理论计算和X射线光电子能谱表征表明：AgPt合金向Pt壳转移电子，生成富电子的Pt^δ-活性位点，进而增加了AgPt@Pt助催化剂中Pt―O_ads反键轨道的占有率。这种电子再分布削弱了O₂在Pt上的吸附强度，促进了2电子ORR反应，并显著提高了H₂O₂的生成效率。这一合成策略为制备具有更高H₂O₂选择性的铂基纳米助催化剂提供了可靠的方法。