通过调节生长参数, 在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点. 扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)的研究结果表明, 在500 ℃和550 ℃制备的小尺寸量子点内, GeSi合金的含量分别为75%和80%. 经热力学分析, 在量子点生长完成后的退火过程中, 可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散, 并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程. 另一方面, 小尺寸量子点较高的高宽比, 也会导致形成较高含量的GeSi合金.
为了解Cr3+离子在钙铝锗酸盐Ca3Al2Ge3O12:石榴石中的光谱性质, 合成了Ca3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料;测量了其X射线衍射图, 漫反射光谱, 激发、发射光谱等;分析了Cr3+离子在钙铝锗酸盐中的发光特性;计算了其晶场强度(Dq/B), Stokes位移(ΔEs)及黄昆-里斯因子(S)等. 在450 nm激发下, Ca3Al2Ge3O12:Cr3+室温发射光谱主要由三个宽带及附加其上的弱R线构成, 分别对应于Cr3+离子的4T1、 4T2、2T2到 4A2 能级跃迁. 低温时R线变得强而锐. 通过计算, Dq/B=2.43, ΔEs=1884 cm-1, S=5.21. 表明在Ca3Al2Ge3O12中Cr3+离子处于较弱的晶场强度, 电子-声子耦合较强, 为发展可调谐激光材料提供重要线索.
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