
图2 优化后的三方晶系FAPbIxCl3-x (自上而下, x=3, 2, 1, 0)结构模型图
Figure 2. Optimized trigonal FAPbIxCl3-x(from top to bottom, x=3, 2, 1, 0) structures
综上可知, 甲脒铅卤钙钛矿FAPbI3表现出巨大的应用潜力, 然而对于FAPbI3-xClx (x=0~3)的理论研究相对较少, 为全面深刻认识此类钙钛矿, 掌握此类钙钛矿的内部光电转换机理, 我们采用第一性原理研究了其结构及光电特性.
目前, 研究最广泛的钙钛矿为MAPbI3, MAPbIx-Cl3-x及MAPbIxBr3-x (x=0~3)混合钙钛矿. 2009年, 日本人Kojima等[2]首次将MAPbI3引入到量子点敏化太阳能电池中, 制备出世界第一块钙钛矿太阳能电池, 但是存在钙钛矿在液态电解质中易溶解的缺点. 2012年, Kim等[3]采用“一步法”, 将PbI2和MAI按照1:1的物质的量比在有机溶液中合成MAPbI3, 并将其引入全固态多孔TiO2层中, 制备出第一块全固态钙钛矿太阳能电池, 稳定性得到提高.随后, Burschka等[4]采用旋涂PbI2→烘干→浸渍MAI→烘干的“两步法”合成MAPbI3钙钛矿层, 电池效率达到了15.0%.研究表明, 在前驱体溶液中采用PbCl2代替PbI2 [n(MAI):n(PbCl2)=3:1]合成钙钛矿能够提高电池效率[5~7].
研发新型高效的太阳能电池, 充分利用太阳能, 是缓解环境污染和能源短缺的重要途径之一.以有机-无机杂化的铅卤钙钛矿MAPbI3 (MA=DH3NH3+)为敏化剂的太阳能电池, 因其较高的光电转化效率, 低廉的成本和简单的制作工艺等优势而引起广泛关注[1].自2009年钙钛矿首次被运用到染料敏化太阳能电池中, 并取得了3.8%的光电转化效率之后, 钙钛矿太阳能电池得到了长足发展, 迄今为止, 钙钛矿太阳能电池的最高效率已经突破22.0%.
MAPbI3钙钛矿具有约1.55 eV的禁带宽度值(Eg)[8, 9], 但是根据Shockley-Queisser极限曲线, 适当降低禁带宽度, 可以进一步拓宽吸收光谱至近红外光区, 提高光电转化效率.研究人员曾经尝试用其他卤素元素(如Br, Cl)代替I, 发现禁带宽度增大[10]; 用长链烷基(C2H5NH3+)代替MA, 导致宽禁带宽度和低光电转换效率(2.4%)[11]. Koh等[12]用稍大尺寸的甲脒离子NH2CH=NH2+ (FA)代替MA合成FAPbI3钙钛矿, 发现Eg=1.47 eV, 相比于MAPbI3更接近理想的禁带宽度值(约1.4 eV), 拓宽了光谱响应范围, 表现出更高的光电转换效率. Lv等[13]采用一步法合成FAPbIxCl3-x多孔钙钛矿太阳能电池, 并采用聚合物空穴传输层, 取得了7.51%的光电转换效率. 2015年6月, Yang等[14]采用分子内交换法合成FAPbI3钙钛矿, 取得了20.2%的光电转换效率, 再次刷新了当时的钙钛矿电池最高认证效率.
本文所有量化计算基于第一性原理的VASP (Vienna Ab-initio Simulation Package)软件包, 施加周期性边界条件, 采用投影缀加平面波(PAW)赝势完成, 其中在处理电子间相互作用的交换关联能时采用广义梯度近似(GGA)PBE泛函[15].平面波截断能选取为Ecut=500 eV, 结构优化和自洽计算中选取4×4×4的Monkhorst-Pack K点网格[16], 高斯展宽因子为0.05, 结构优化时, 考虑范德华力(VDW)校正; 自洽收敛计算时, 体系的能量收敛标准为10-5 eV•atom-1, 原子间相互作用力的收敛标准为0.05 eV•nm-1.由于Pb的强相对论效应, 钙钛矿体系存在自旋轨道耦合效应(SOC)[17], 然而前期研究表明, 采用GGA和无SOC计算方法能够使得误差大致抵消[18].因此, 所选方法能够较为准确地描述此类钙钛矿的结构及光电特性.
优化后的FAPbIxCl3-x的晶格参数如表 1所示, 优化结果跟前期研究结果一致(FAPbI3: a=b=0.899 nm, c=1.101 nm[12]; a=0.900 nm, b=0.900 nm, c=1.101 nm[25]; FAPbIxCl3-x [n(FAI):n(PbCl2)=3:1]: a=b=0.898 nm, c=1.089 nm[13]).为了便于观察和分析PbX6八面体构型, 我们将图 2侧视图以多面体方式呈现. FAPbCl3和FAPbI3为标准的三方晶系, FA链沿[001]方向排布, 由于在优化过程中对体系对称性不加以限制, 所有原子均参与优化, 所以优化数据与标准三方晶系存在微小差距(a≈b, α≈β≈90°, γ≈120°).对于FAPbI2Cl和FAPbICl2, 由于Cl-, I-的混合掺杂, 优化后的PbX6八面体发生了扭转, 并且FA排布发生了微小偏转, 如图 2(b)和2(c)所示, 呈现准三方晶系.优化后的Pb—I键长(0.315~0.334 nm)大于Pb—Cl键长(0.282~0.302 nm), 当I/Cl比例逐渐增大时, 晶格常数和体积随之增大, 如表 1所示, 其中FAPbCl3的体积最小, 为0.593 nm3; FAPbI3的体积最大, 为0.807 nm3.
Species | a/nm | b/nm | c/nm | α/(°) | β/(°) | γ/(°) | V/nm3 |
FAPbCl3 | 0.803 | 0.802 | 1.079 | 90.6 | 88.9 | 121.5 | 0.593 |
FAPbICl2 | 0.860 | 0.854 | 1.095 | 84.5 | 95.0 | 124.3 | 0.661 |
FAPbI2Cl | 0.925 | 0.852 | 1.139 | 86.4 | 89.8 | 124.6 | 0.736 |
FAPbI3 | 0.890 | 0.892 | 1.178 | 89.8 | 89.7 | 120.3 | 0.807 |
ABX3 (A=Cs+, MA, FA; B=Pb2+, Sn2+; X=Cl-, Br-, I-)型钙钛矿可视为BX6八面体共顶角连接而成的三维结构, A离子位于四个八面体的间隙中央, 配位数为12; B离子位于BX6八面体中心位置, 配位数为6.根据Goldschmidt等[19]提出的容忍因子:
其中RA, RB, RX分别为A, B和X离子半径值, 当t为1时, 钙钛矿呈现最稳定的立方构型(Pm3m)[20]; 当t介于0.78~1.05时, 晶体维持钙钛矿构型; 当t介于0.89~1.00时, 晶体为菱面体结构(三方晶系)[21].根据上式, MAPbI3 (RA=0.18 nm[22], RB=0.12 nm, RX=0.22 nm)的容忍因子t为0.83, 用FA (RA=0.19~0.22 nm[23])替换MA可以提高容忍因子, 进而增强晶体的稳定性. MAPbI3在室温下为四方晶系(I4/mcm), 而FAPbI3受合成条件的影响存在三方晶系(Eg=1.48 eV, P3m1)和六方晶系(Eg=2.23 eV, P6mc)两种晶型[24], 结构模型如图 1所示.对于如图 1b所示的六方晶系FAPbI3, FA的无序排列及PbI6八面体的连接方式不利于电子跃迁和输运, 其禁带宽度较大, 吸光效率较低, 因此实验人员通过控制合成条件抑制六方晶系钙钛矿的生成.本文我们构建三方晶系的FAPbIxCl3-x (x=0~3)钙钛矿模型, 优化稳定构型并进行光电特性计算.其中FAPbI2Cl, FAPbICl2钙钛矿存在多种同素异构体, 由于异构体的结构及光电特性差异微小, 为观察混合钙钛矿结构及光电特性随I/Cl比例的变化, 我们选取了如图 2b, 2c构型进行计算分析.
为了解此类钙钛矿的前线轨道组成, 我们以FAPbI2Cl为例, 计算并绘制其态密度(DOS)图.如图 4所示, FAPbI2Cl的价带主要由卤素离子(I, Cl)贡献, VBM由I 5p (Cl 3p)轨道和少量的Pb 6s轨道杂化而成, 并且I 5p轨道能级高于Cl 3p轨道; CBM主要由Pb 6p轨道组成, 电子受光激发将由I 5p (Cl 3p)和Pb 6s杂化的反键轨道跃迁至Pb 6p轨道.因为钙钛矿的禁带宽度值为CBM和VBM的能级差, 在FAPbIxCl3-x中, 随着I/Cl比例的增大, VBM能级逐渐升高, 导致FAPbIxCl3-x的禁带宽度随着I/Cl比例的增大而减小. FA在-2 eV附近与Cl离子存在微弱的耦合作用, 但在费米能级附近(-1 eV~2 eV)并没有出现明显的态密度, 说明FA没有直接参与钙钛矿的前线轨道跃迁. FA在调控钙钛矿结构, 维持体系稳定性方面起着重要作用, 同时作为电荷供体为PbX3 (X=I, Cl)骨架提供电荷.
表 2列出了FAPbI3各组分的Bader电荷值, Pb离子Bader电荷值为0.87 e, I离子的Bader电荷值为-0.55 e, 两者与一般的纯离子键(Pb2+, I-)偏差较大, 说明Pb与I离子之间同时存在共价键和离子键相互作用. FA的Bader电荷为正值, 说明电荷从FA转移到了I离子上, 并且能够贡献0.76 e的电荷. FA中与C原子相连的H原子的Bader电荷值为0.17 e, 而与N原子相连的H原子的Bader电荷值为0.49 e, 两种H原子存在化学不对等关系. FA比MA具有更高的对称性, 同时具有更小的偶极矩, 能够产生较小的内电场, 利于钙钛矿内部载流子的长距离输运.
Groups | FA | PI3 | Pb | I | C | N | HC | HN |
Bader charges | 0.76 | -0.76 | 0.87 | -0.55 | 1.19 | -1.29 | 0.17 | 0.49 |
图 3为FAPbIxCl3-x的能带结构图, 为方便观察, 我们将费米能级Ef设为0 eV, 纵坐标显示范围设为-2~4 eV.由图可知, FAPbIxCl3-x的能带结构具有相似性, 价带顶(VBM)和导带底(CBM)均位于布里渊区的同一Z (0, 0, 0.5)对称点, 属于直接带隙半导体, 此类半导体作为光电转换材料能够使得受激光电子发生垂直跃迁, 降低不必要的能量损失, 同时也会提高电子空穴的复合率. FAPbI3的禁带宽度Eg为1.53 eV, 与实验数据1.45[26], 1.47[12], 1.48[24], 1.50 eV[25]基本吻合, 略小于我们计算的MAPbI3的禁带宽度值(1.55 eV), 表明FAPbI3在能带结构上更有利于电子的跃迁.随着I/Cl比例的减小, 禁带宽度逐渐增大, 计算所得的FAPbI2Cl, FAPb-ICl2和FAPbCl3的禁带宽度分别为1.76, 1.91和2.23 eV.
晶体半导体的光学响应特性函数可以由如下复介电函数ɛ(ω)描述:
根据公式(3), 我们计算三方晶系FAPbIxCl3-x (x=0~3), FAPbX3 (X=Cl, Br, I)以及四方晶系MAPbI3的吸收系数并绘制了吸收光谱图(如图 5所示), 其中将横坐标统一换算为可见光波长(300~800 nm).由图 5a可以直观看出, 在可见光范围内, FAPbIxCl3-x的吸光强度随波长的增加整体呈现下降趋势, 并且吸收光谱随着I/Cl比例的增大而发生红移, 其中FAPbI3具有最佳的吸收特性, 尤其在300~500 nm波长范围内表现出较高的吸收强度.由图 5b可得, FAPbX3的吸收光谱随着X由Cl→Br→I的变化而发生红移, 其中禁带宽度Eg的逐渐减小起主导作用. MAPbI3的吸收光谱优于FAPbCl3和FAPbBr3, 但整体而言弱于FAPbI3.综上, FAPbI3具有作为钙钛矿太阳能电池光电转换材料的巨大潜力.
其中, ɛ1(ω)=n2-k2, ɛ2(ω)=2nk (n代表反射系数, k代表消光系数)分别为介电函数的实部和虚部, ω为频率[27].介电函数的虚部ɛ2(ω)可以借助电子跃迁的选择定则,由占据态的电子波函数之间的矩阵元得到, 实部ɛ1(ω)可以通过Kramers-Kronig色散关系式由虚部ɛ2(ω)获得.吸收系数I(ω), 反射系数R(ω)和能量损失系数L(ω)等可以直接通过实部ɛ1(ω)和虚部ɛ2(ω)求得, 此处我们给出吸收系数I(ω)的计算公式:
本文采用第一性原理计算了FAPbIxCl3-x (x=0~3)的结构及光电特性, 通过分析它们的稳定构型, 能带结构, 态密度, Bader电荷和吸收光谱特性, 阐释了内部光电转换机理, 结构与光电特性之间的联系.结果表明, 在三方晶系FAPbIxCl3-x中, Pb—I键长(0.315~0.334 nm)大于Pb—Cl键长(0.282~0.302 nm), 随着I/Cl比例的逐渐增大, 体系的晶格常数和体积随之增大. FA本身不直接参与前线轨道跃迁过程, 仅作为电荷供体为PbI3骨架提供大约0.76 e的电荷. Pb与I (Cl)离子之间同时存
在共价键和离子键相互作用. FAPbIxCl3-x作为直接带隙半导体, 其直接带隙点位于布里渊区的Z (0, 0, 0.5)对称点, VBM主要由I 5p (Cl 3p)和少量Pb 6s轨道杂化的反键轨道组成, CBM主要由Pb 6p轨道组成.随着I/Cl比例的增大, VBM能级上移, 禁带宽度逐渐减小, 吸收光谱发生红移. FAPbI3具有比MAPbI3更为理想的禁带宽度1.53 eV, 且吸收光谱整体优于MAPbI3, 尤其在300~500 nm波长范围内表现出良好的吸光特性.计算结果表明, FAPbI3具有作为钙钛矿太阳能电池光电转换材料的巨大潜力.
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表 1 优化后的FAPbIxCl3-x (x=0~3)的晶格常数
Table 1. Optimized lattice parameters of FAPbIxCl3-x (x=0~3)
Species | a/nm | b/nm | c/nm | α/(°) | β/(°) | γ/(°) | V/nm3 |
FAPbCl3 | 0.803 | 0.802 | 1.079 | 90.6 | 88.9 | 121.5 | 0.593 |
FAPbICl2 | 0.860 | 0.854 | 1.095 | 84.5 | 95.0 | 124.3 | 0.661 |
FAPbI2Cl | 0.925 | 0.852 | 1.139 | 86.4 | 89.8 | 124.6 | 0.736 |
FAPbI3 | 0.890 | 0.892 | 1.178 | 89.8 | 89.7 | 120.3 | 0.807 |
表 2 FAPbI3的Bader电荷分布
Table 2. The Bader charges of FAPbI3 perovskite
Groups | FA | PI3 | Pb | I | C | N | HC | HN |
Bader charges | 0.76 | -0.76 | 0.87 | -0.55 | 1.19 | -1.29 | 0.17 | 0.49 |