纳米孔缺陷导致单层黑磷电荷局域极大抑制非辐射电子-空穴复合的时域模拟

卢浩然 魏雅清 龙闰

引用本文: 卢浩然, 魏雅清, 龙闰. 纳米孔缺陷导致单层黑磷电荷局域极大抑制非辐射电子-空穴复合的时域模拟[J]. 物理化学学报, 2022, 38(5): 2006064-0. doi: 10.3866/PKU.WHXB202006064 shu
Citation:  Haoran Lu, Yaqing Wei, Run Long. Charge Localization Induced by Nanopore Defects in Monolayer Black Phosphorus for Suppressing Nonradiative Electron-Hole Recombination through Time-Domain Simulation[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2022, 38(5): 2006064-0. doi: 10.3866/PKU.WHXB202006064 shu

纳米孔缺陷导致单层黑磷电荷局域极大抑制非辐射电子-空穴复合的时域模拟

    通讯作者: 龙闰, runlong@bun.edu.cn
  • 基金项目:

    国家自然科学基金 21973006

摘要: 通常认为缺陷加速黑磷的非辐射电子-空穴复合,阻碍器件性能的持续提高。实验打破了这一认识。采用含时密度泛函理论结合非绝热分子动力学,我们发现P-P伸缩振动驱动非辐射电子-空穴复合,使纳米孔修饰的单层黑磷的激发态寿命比完美体系延长了约5.5倍。这主要归因于三个因素。一,纳米孔结构不但没有在禁带中引入深能级缺陷,而且由于价带顶下移使带隙增加了0.22 eV。二,除了带隙增加,纳米孔减小了电子和空穴波函数重叠,并抑制了原子核热运动,从而使非绝热耦合降低至完美体系的约1/2。三,退相干时间比完美体系延长了1.5倍。前两个因素战胜了第三个因素,使纳米孔结构激发态寿命延长至2.74 ns,而其在完美体系中约为480 ps。我们的研究表明可以制造合理数量和形貌的缺陷,如纳米孔,降低黑磷非辐射电子-空穴复合,提高光电器件效率。这一研究对于理解和调控黑磷和其它二维材料的激发态性质有重要意义。

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  • 发布日期:  2022-05-15
  • 收稿日期:  2020-06-24
  • 接受日期:  2020-07-25
  • 修回日期:  2020-07-24
  • 网络出版日期:  2020-08-04
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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