English

• 1. [1]

     Chu, M. -W.; Szafraniak, I.; Scholz, R.; Harnagea, C.; Hesse, D.; Alexe, M.; Gösele, U. Nat. Mater. 2004, 3, 87. doi: 10.1038/nmat1057 doi: 10.1038/nmat1057
     

  2. [2]

     Szot, K.; Bihlmayer, G.; Speier, W. Nature of the Resistive Switching Phenomena in TiO₂ and SrTiO₃: Origin of the Reversible Insulator-Metal Transition. In Solid State Physics; Camley, R. E., Stamps, R. L., Eds.; Academic Press: Cambridge, MA, USA, 2014; Vol. 65, Chapter Four, pp. 353–559.
     

  3. [3]

     Jia, C. L.; Mi, S. B.; Urban, K.; Vrejoiu, I.; Alexe, M.; Hesse, D. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 117601. doi: 10.1103/PhysRevLett.102.117601 doi: 10.1103/PhysRevLett.102.117601
     

  4. [4]

     Wu, H. H.; Wang, J.; Cao, S. G.; Zhang, T. Y. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 232904. doi: 10.1063/1.4809945 doi: 10.1063/1.4809945
     

  5. [5]

     Sawada, H.; Hosokawai, F.; Kaneyama, T.; Ishizawa, T.; Terao, M.; Kawazoe, M.; Sannomiya, T.; Tomita, T.; Kondo, Y.; Tanaka, T.; et al. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2-Lett. Expr. Lett. 2007, 46, L568. doi: 10.1143/jjap.46.l568 doi: 10.1143/jjap.46.l568
     

  6. [6]

     Muller, D. A.; Kourkoutis, L. F.; Murfitt, M.; Song, J. H.; Hwang, H. Y.; Silcox, J.; Dellby, N.; Krivanek, O. L. Science 2008, 319, 1073. doi: 10.1126/science.1148820 doi: 10.1126/science.1148820
     

  7. [7]

     Essers, E.; Benner, G.; Mandler, T.; Meyer, S.; Mittmann, D.; Schnell, M.; Hoeschen, R. Ultramicroscopy 2010, 110, 971. doi: 10.1016/j.ultramic.2010.02.009 doi: 10.1016/j.ultramic.2010.02.009
     

  8. [8]

     Krivanek, O. L.; Ursin, J. P.; Bacon, N. J.; Corbin, G. J.; Dellby, N.; Hrncirik, P.; Murfitt, M. F.; Own, C. S.; Szilagyi, Z. S. Philosoph. Trans. Royal Soc. 2009, 367, 3683. doi: 10.1098/rsta.2009.0087 doi: 10.1098/rsta.2009.0087
     

  9. [9]

     Rose, H. H. J. Electron Micros. 2009, 58, 77. doi: 10.1093/jmicro/dfp012 doi: 10.1093/jmicro/dfp012
     

  10. [10]

      陈星, 田鹤, 张泽.物理化学学报, 2020, 36, 1906019. doi: 10.3866/PKU.WHXB201906019Chen, X.; Tian, H.; Zhang, Z. Acta Phys. -Chim. Sin. 2020, 36, 1906019. doi: 10.3866/PKU.WHXB201906019
      

•