等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs, n-GaP电极

许颂临 庄启星 吴丽云 伍振尧

引用本文: 许颂临, 庄启星, 吴丽云, 伍振尧. 等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs, n-GaP电极[J]. 物理化学学报, 1987, 3(06): 648-652. doi: 10.3866/PKU.WHXB19870617 shu
Citation:  Xu Songlin, Zhuang Qixing, Wu Liyun, Wu Zhenyao. STUDY ON THE MODIFICATION OF SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRODE BY PLASMA POLYMERIZATION——POLYACRYLONITRILE/n-GaAs, n-GaP ELECTRODES[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 1987, 3(06): 648-652. doi: 10.3866/PKU.WHXB19870617 shu

等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs, n-GaP电极

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  • 发布日期:  1987-12-15
  • 收稿日期:  1986-06-19
  • 网络出版日期:  1987-12-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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