氧化铟掺杂对ZnFe2O4半导体气敏性能的影响

储向峰 刘杏芹 孟广耀

引用本文: 储向峰,  刘杏芹,  孟广耀. 氧化铟掺杂对ZnFe2O4半导体气敏性能的影响[J]. 应用化学, 1998, 15(6): 41-44. shu
Citation:  Chu Xiangfeng,  Liu Xingqin,  Meng Guangyao. Effect of In2O3 Doping on the Gas Sensitivity of ZnFe2O4[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1998, 15(6): 41-44. shu

氧化铟掺杂对ZnFe2O4半导体气敏性能的影响

  • 基金项目:

    国家自然科学基金资助课题(29571026)

摘要: 用化学共沉淀法在ZnFe2O4中掺入In2O3.X射线衍射分析证实,In2O3与ZnFe2O3之间没有新相生成,晶格常数有微小变化.掺入In2O3降低了ZnFe2O4的电导,改变了该系列材料的导电机制,提高了材料对乙醇的敏感性和选择性,而且缩短了材料的响应时间.

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  • 收稿日期:  1998-04-29
  • 修回日期:  1998-10-14
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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