基于第一性原理计算对氮化物钙钛矿CeBN₃(B=Ta、Nb)的电子结构、光学性质、本征点缺陷及缺陷钝化效果进行了系统分析。计算结果表明，CeTaN₃和CeNbN₃均为直接带隙半导体材料，带隙值分别为1.10和0.91 eV；CeTaN₃存在N间隙(N_i)深能级缺陷，与之相比，CeNbN₃未引入深能级缺陷，其能带附近电荷分布更局域，同时具有较低的载流子有效质量和较高的光吸收系数。此外，当碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)分别掺杂CeTaN₃中的Ce时，Li、Na、K和Rb掺杂体系中N_i缺陷的跃迁能级均变浅，其中Rb掺杂钝化缺陷的效果最为显著，而Cs掺杂未能钝化N_i的跃迁能级。