CCl4等离子体表面改性聚三甲硅基丙炔膜

邱雪鹏 许观藩 林晓 郑国栋 徐纪平

引用本文: 邱雪鹏, 许观藩, 林晓, 郑国栋, 徐纪平. CCl4等离子体表面改性聚三甲硅基丙炔膜[J]. 应用化学, 1996, 13(4): 101-103. shu
Citation:  Qiu Xuepeng, Xu Guanfan, Lin Xiao, Zheng Guodong, Xu Jiping. Surface Modification of Poly[1-(trimethylsilyl)-propyne]Membrane by CCl4 Plasma[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1996, 13(4): 101-103. shu

CCl4等离子体表面改性聚三甲硅基丙炔膜

  • 基金项目:

    国家自然科学基金 

摘要: 聚三甲硅基丙炔(PTMSP)具有优异的气体透过性,但其氧氮选择性差,可用等离子体改性等方法予以改进[1~6].本文报道在外极管式电容祸合反应器中,用CCl4等离子体改性PTMSP膜表面,αO2/N2得到大幅度提高,并通过XPS和水接触角(WCA)的测试,研究了改性后膜表面组成变化与透气性的关系.

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  • 收稿日期:  1995-11-23
  • 网络出版日期:  1996-02-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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