金属的化学-机械抛光技术研究进展

何捍卫 ,  胡岳华 ,  周科朝 ,  徐竞

引用本文: 何捍卫, 胡岳华, 周科朝, 徐竞. 金属的化学-机械抛光技术研究进展[J]. 应用化学, 2003, 20(5): 415-419. shu
Citation:  HE Han-Wei, HU Yue-Hua, ZHOU Ke-Chao, XU Jin. Recent Advancement of Chemical-Mechanical Polishing Technology of Metal[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2003, 20(5): 415-419. shu

金属的化学-机械抛光技术研究进展

    通讯作者: 何捍卫,男,1964年生,博士后,副教授;E-mail:hehanwei@163.com;研究方向:应用电化学
  • 基金项目:

    国家杰出青年科学基金资助(59925412) (59925412)

摘要: 介绍了近年来金属化学机械抛光(CMP)技术的一些研究进展。内容包括CMP技术的实验方法进展与抛光效果的表征,CMP设备与消耗品的发展。分析了目前CMP技术存在的问题,提出了可能解决问题的一些建议。认为定量CMP速率方程的建立是解决好终点在线检测的关键之一。

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  • 收稿日期:  2002-08-29
  • 网络出版日期:  2003-01-20
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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