金纳米线阵列制备及其光谱特性

姚会军 莫丹 段敬来 陈艳峰 张苓 刘杰 侯明东 孙友梅

引用本文: 姚会军, 莫丹, 段敬来, 陈艳峰, 张苓, 刘杰, 侯明东, 孙友梅. 金纳米线阵列制备及其光谱特性[J]. 物理化学学报, 2008, 24(10): 1922-1926. doi: 10.3866/PKU.WHXB20081032 shu
Citation:  YAO Hui-Jun, MO Dan, DUAN Jing-Lai, CHEN Yan-Feng, ZHANG Ling, LIU Jie, HOU Ming-Dong, SUN You-Mei. Preparation and Optical Properties of ld Nanowire Arrays[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2008, 24(10): 1922-1926. doi: 10.3866/PKU.WHXB20081032 shu

金纳米线阵列制备及其光谱特性

摘要: 利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中制备出直径从45 nm到200 nm, 长径比达700的金纳米线阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备金纳米线的形貌及晶体结构进行分析, 结果表明, 在1.5 V(无参比电极)沉积电压下所制备出的直径为200 nm金纳米线沿[100]晶向具有较好择优取向. 利用紫外-可见光谱(UV-Vis)对镶嵌在透明模板中平行排列的金纳米线阵列光学特性进行研究, 发现金纳米线直径为45 nm时, 其紫外可见光谱在539 nm处有强烈吸收峰, 随着金纳米线直径增加, 吸收峰红移, 当金纳米线直径达到200 nm时, 其吸收峰峰位移至700 nm. 结合金纳米颗粒相关表面等离子体共振吸收效应对实验结果进行了讨论.

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  • 发布日期:  2008-10-08
  • 收稿日期:  2008-05-09
  • 网络出版日期:  2008-09-03
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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