English

• 1. [1]

     Nakamura, S.; Mukai, T.; Senoh, M. J.Appl. Phys. 1994, 76, 8189. doi: 10.1063/1.357872

  2. [2]

     Nakamura, S.; Krames, M. R. P. Ieee 2013, 101, 2211. doi: 10.1109/JPROC.2013.2274929

  3. [3]

     Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagahama, S.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74. doi: 10.1143/JJAP.35.L74

  4. [4]

     Kneissl, M.; Kolbe, T.; Chua, C.; Kueller, V.; Lobo, N.; Stellmach, J.; Knauer, A.; Rodriguez, H.; Einfeldt, S.; Yang, Z.; et al. Semicond. Sci. Tech. 2011, 26, 014036. doi: 10.1088/0268-1242/26/1/014036

  5. [5]

     Binari, S. C.; Redwing, J. M.; Kelner, G.; Kruppa, W. Electron. Lett. 1997, 33, 242. doi: 10.1049/el:19970122

  6. [6]

     Mishra, U. K.; Parikh, P.; Wu, Y. F. P. Ieee 2002, 90, 1022. doi: 10.1109/JPROC.2002.1021567

  7. [7]

     Mathis, S. K.; Romanov, A. E.; Chen, L. F.; Beltz, G. E.; Pompe, W.; Speck, J. S. J. Cryst. Growth 2001, 231, 371. doi: 10.1016/S0022-0248(01)01468-3

  8. [8]

     Qi, Y.; Wang, Y. Y.; Pang, Z. Q.; Dou, Z. P.; Wei, T. B.; Gao P.; Zhang S. S.; Xu, X. Z.; Chang, Z. H.; Deng, B.; et al. J. Am. Chem. Soc. doi: 10.1021/jacs.8b03871

•