大气压射频等离子体化学气相沉积TiO2体系的发射光谱诊断

常大磊 ,  李小松 ,  赵天亮 ,  朱爱民

引用本文: 常大磊, 李小松, 赵天亮, 朱爱民. 大气压射频等离子体化学气相沉积TiO2体系的发射光谱诊断[J]. 物理化学学报, 2013, 29(03): 625-630. doi: 10.3866/PKU.WHXB201212271 shu
Citation:  CHANG Da-Lei, LI Xiao-Song, ZHAO Tian-Liang, ZHU Ai-Min. Diagnosis of Emission Spectra on Chemical Vapor Deposition of TiO2 System with Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2013, 29(03): 625-630. doi: 10.3866/PKU.WHXB201212271 shu

大气压射频等离子体化学气相沉积TiO2体系的发射光谱诊断

  • 基金项目:

    国家自然科学基金(10835004, 51077009)资助项目 (10835004, 51077009)

摘要:

开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究, 分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响. 结果表明: 随着氧气分压的增加, 氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降, OH振动温度缓慢增加, 而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变. 随着TTIP 分压的增加, 氧原子谱线相对强度下降, 氩原子激发温度没有明显变化, 而OH振动温度和转动温度增加. 随着输入功率的增加, 氧原子谱线相对强度下降, 氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高.

English

    1. [1]

      (1) Parkin, I. P.; Palgrave, R. G. J. Mater. Chem. 2005, 15 (17),1689. doi: 10.1039/b412803f

      (1) Parkin, I. P.; Palgrave, R. G. J. Mater. Chem. 2005, 15 (17),1689. doi: 10.1039/b412803f

    2. [2]

      (2) Mills, A.; Hill, G.; Crow, M.; Hodgen, S. J. Appl. Electrochem.2005, 35 (7-8), 641. doi: 10.1007/s10800-005-1628-5(2) Mills, A.; Hill, G.; Crow, M.; Hodgen, S. J. Appl. Electrochem.2005, 35 (7-8), 641. doi: 10.1007/s10800-005-1628-5

    3. [3]

      (3) Mcfarland, E.W.; Tang, J. Nature 2003, 421 (6923), 616. doi: 10.1038/nature01316(3) Mcfarland, E.W.; Tang, J. Nature 2003, 421 (6923), 616. doi: 10.1038/nature01316

    4. [4]

      (4) Ozer, N.; Lampert, C. M. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1998, 54 (1-4), 147. doi: 10.1016/S0927-0248(98)00065-8(4) Ozer, N.; Lampert, C. M. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1998, 54 (1-4), 147. doi: 10.1016/S0927-0248(98)00065-8

    5. [5]

      (5) Wang, R.; Hashimoto, K.; Fujishima, A.; Chikuni, M.; Kojima,E.; Kitamura, A.; Shimohi shi, M.;Watanabe, T. Nature 1997,388 (6641), 431. doi: 10.1038/41233(5) Wang, R.; Hashimoto, K.; Fujishima, A.; Chikuni, M.; Kojima,E.; Kitamura, A.; Shimohi shi, M.;Watanabe, T. Nature 1997,388 (6641), 431. doi: 10.1038/41233

    6. [6]

      (6) Mills, A.; Lehunte, S. J. Photochem. Photobiol. A 1997, 108 (1),1. doi: 10.1016/S1010-6030(97)00118-4(6) Mills, A.; Lehunte, S. J. Photochem. Photobiol. A 1997, 108 (1),1. doi: 10.1016/S1010-6030(97)00118-4

    7. [7]

      (7) Xiao, Y. M.;Wu, J. H.; Yue, G. T.; Lin, J. M.; Huang, M. L. ActaPhys. -Chim. Sin. 2012, 28 (3), 578. [肖尧明, 吴季怀, 岳根田, 林建明, 黄妙良. 物理化学学报, 2012, 28 (3), 578.] doi: 10.3866/PKU.WHXB201201032(7) Xiao, Y. M.;Wu, J. H.; Yue, G. T.; Lin, J. M.; Huang, M. L. ActaPhys. -Chim. Sin. 2012, 28 (3), 578. [肖尧明, 吴季怀, 岳根田, 林建明, 黄妙良. 物理化学学报, 2012, 28 (3), 578.] doi: 10.3866/PKU.WHXB201201032

    8. [8]

      (8) Zhang, J. L.; Yan, S. S.;Wu, L. D.; Chen, F. Acta Phys. -Chim.Sin. 2007, 23 (3), 414. [张金龙, 燕姗姗, 吴连弟, 陈锋. 物理化学学报, 2007, 23 (3), 414.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20070325(8) Zhang, J. L.; Yan, S. S.;Wu, L. D.; Chen, F. Acta Phys. -Chim.Sin. 2007, 23 (3), 414. [张金龙, 燕姗姗, 吴连弟, 陈锋. 物理化学学报, 2007, 23 (3), 414.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20070325

    9. [9]

      (9) Di, L. B.; Li, X. S.; Shi, C.; Xu, Y.; Zhao, D. Z.; Zhu, A. M.J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 (3), 32001. doi: 10.1088/0022-3727/42/3/032001(9) Di, L. B.; Li, X. S.; Shi, C.; Xu, Y.; Zhao, D. Z.; Zhu, A. M.J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 (3), 32001. doi: 10.1088/0022-3727/42/3/032001

    10. [10]

      (10) Kment, S.; Kluson, P.; Zabova, H.; Churpita, A.; Chichina, M.;Cada, M.; Gre ra, I.; Krysa, J.; Hubicka, Z. Surf. Coat. Tech.2009, 204 (5), 667. doi: 10.1016/j.surfcoat.2009.09.007(10) Kment, S.; Kluson, P.; Zabova, H.; Churpita, A.; Chichina, M.;Cada, M.; Gre ra, I.; Krysa, J.; Hubicka, Z. Surf. Coat. Tech.2009, 204 (5), 667. doi: 10.1016/j.surfcoat.2009.09.007

    11. [11]

      (11) Hodgkinson, J. L.; Yates, H. M.; Sheel, D.W. Plasma Process.Polym. 2009, 6 (9), 575. doi: 10.1002/ppap.v6:9(11) Hodgkinson, J. L.; Yates, H. M.; Sheel, D.W. Plasma Process.Polym. 2009, 6 (9), 575. doi: 10.1002/ppap.v6:9

    12. [12]

      (12) Nie, L. H.; Shi, C.; Xu, Y.;Wu, O. H.; Zhu, A. M. PlasmaProcess. Polym. 2007, 4 (5), 574.(12) Nie, L. H.; Shi, C.; Xu, Y.;Wu, O. H.; Zhu, A. M. PlasmaProcess. Polym. 2007, 4 (5), 574.

    13. [13]

      (13) Zhu, A. M.; Nie, L. H.;Wu, Q. H.; Zhang, X. L.; Yang, X. F.;Xu, Y.; Shi, C. Chem. Vapor. Depos. 2007, 13 (4), 141.(13) Zhu, A. M.; Nie, L. H.;Wu, Q. H.; Zhang, X. L.; Yang, X. F.;Xu, Y.; Shi, C. Chem. Vapor. Depos. 2007, 13 (4), 141.

    14. [14]

      (14) Zhu, A. M.; Nie, L. H.; Zhang, X. L.; Shi, C.; Song, Z. M.; Xu,Y. Plasma Sci. Technol. 2004, 6 (6), 2546. doi: 10.1088/1009-0630/6/6/006(14) Zhu, A. M.; Nie, L. H.; Zhang, X. L.; Shi, C.; Song, Z. M.; Xu,Y. Plasma Sci. Technol. 2004, 6 (6), 2546. doi: 10.1088/1009-0630/6/6/006

    15. [15]

      (15) Zhang, X. L.; Nie, L. H.; Xu, Y.; Shi, C.; Yang, X. F.; Zhu, A.M. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40 (6), 1763. doi: 10.1088/0022-3727/40/6/024(15) Zhang, X. L.; Nie, L. H.; Xu, Y.; Shi, C.; Yang, X. F.; Zhu, A.M. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40 (6), 1763. doi: 10.1088/0022-3727/40/6/024

    16. [16]

      (16) Chang, D. L.; Li, X. S.; Zhao, T. L.; Yang, J. H.; Zhu, A. M.Chem. Vapor Depos. 2012, 18 (4-6), 121. doi: 10.1002/cvde.v18.4/6(16) Chang, D. L.; Li, X. S.; Zhao, T. L.; Yang, J. H.; Zhu, A. M.Chem. Vapor Depos. 2012, 18 (4-6), 121. doi: 10.1002/cvde.v18.4/6

    17. [17]

      (17) Li, S. Z.;Wu, Q.; Zhang, J. L.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. ThinSolid Films 2011, 519 (20), 6990. doi: 10.1016/j.tsf.2011.01.222(17) Li, S. Z.;Wu, Q.; Zhang, J. L.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. ThinSolid Films 2011, 519 (20), 6990. doi: 10.1016/j.tsf.2011.01.222

    18. [18]

      (18) Li, S. Z.;Wu, Q.; Yan,W.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. Phys.Plasmas 2011, 18 (10), 103502. doi: 10.1063/1.3643224(18) Li, S. Z.;Wu, Q.; Yan,W.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. Phys.Plasmas 2011, 18 (10), 103502. doi: 10.1063/1.3643224

    19. [19]

      (19) Li, S. Z.;Wu, Q.; Zhang, J. L.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. Phys.Plasmas 2010, 17 (6), 63506. doi: 10.1063/1.3447877(19) Li, S. Z.;Wu, Q.; Zhang, J. L.;Wang, D. Z.; Uhm, H. S. Phys.Plasmas 2010, 17 (6), 63506. doi: 10.1063/1.3447877

    20. [20]

      (20) Uhm, H. S.; Lim, J. P.; Li, S. Z. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (26),261501. doi: 10.1063/1.2747177(20) Uhm, H. S.; Lim, J. P.; Li, S. Z. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (26),261501. doi: 10.1063/1.2747177

    21. [21]

      (21) Lim, J. P.; Uhm, H. S.; Li, S. Z. Phys. Plasmas 2007, 14 (9),93504. doi: 10.1063/1.2773705(21) Lim, J. P.; Uhm, H. S.; Li, S. Z. Phys. Plasmas 2007, 14 (9),93504. doi: 10.1063/1.2773705

    22. [22]

      (22) Li, S. Z.; Lim, J. P.; Uhm, H. S. Phys. Lett. A 2006, 360 (2), 304.doi: 10.1016/j.physleta.2006.08.036(22) Li, S. Z.; Lim, J. P.; Uhm, H. S. Phys. Lett. A 2006, 360 (2), 304.doi: 10.1016/j.physleta.2006.08.036

    23. [23]

      (23) Moon, S. Y.; Choe,W.; Kang, B. K. Appl. Phys. Lett. 2004, 84 (2), 188. doi: 10.1063/1.1639135(23) Moon, S. Y.; Choe,W.; Kang, B. K. Appl. Phys. Lett. 2004, 84 (2), 188. doi: 10.1063/1.1639135

    24. [24]

      (24) Moon, S. Y.; Han, J.W.; Choe,W. Thin Solid Films 2006, 506,355. doi: 10.1016/j.tsf.2005.08.081(24) Moon, S. Y.; Han, J.W.; Choe,W. Thin Solid Films 2006, 506,355. doi: 10.1016/j.tsf.2005.08.081

    25. [25]

      (25) Walkup, R. E.; Saenger, K. L.; Selwyn, G. S. J. Chem. Phys.1986, 84 (5), 2668. doi: 10.1063/1.450339(25) Walkup, R. E.; Saenger, K. L.; Selwyn, G. S. J. Chem. Phys.1986, 84 (5), 2668. doi: 10.1063/1.450339

    26. [26]

      (26) Inomata, K.; Koinuma, H.; Oikawa, Y.; Shiraishi, T. Appl. Phys.Lett. 1995, 66 (17), 2188. doi: 10.1063/1.113942(26) Inomata, K.; Koinuma, H.; Oikawa, Y.; Shiraishi, T. Appl. Phys.Lett. 1995, 66 (17), 2188. doi: 10.1063/1.113942

    27. [27]

      (27) Knake, N.; Reuter, S.; Niemi, K.; Schulz-Von Der Gathen, V.;Winter, J. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41 (19), 194006. doi: 10.1088/0022-3727/41/19/194006(27) Knake, N.; Reuter, S.; Niemi, K.; Schulz-Von Der Gathen, V.;Winter, J. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41 (19), 194006. doi: 10.1088/0022-3727/41/19/194006

    28. [28]

      (28) NIST database. http://www.nist. v.(28) NIST database. http://www.nist. v.

    29. [29]

      (29) lden, D. E.; Bandel, H.W. Phys. Rev. 1966, 149 (1), 58. doi: 10.1103/PhysRev.149.58

      (29) lden, D. E.; Bandel, H.W. Phys. Rev. 1966, 149 (1), 58. doi: 10.1103/PhysRev.149.58

  • 加载中
计量
  • PDF下载量:  618
  • 文章访问数:  1363
  • HTML全文浏览量:  53
文章相关
  • 发布日期:  2013-02-25
  • 收稿日期:  2012-10-16
  • 网络出版日期:  2012-12-27
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索

/

返回文章