含氟聚酰亚胺接枝低聚倍半硅氧烷制备超低介电材料

王晓峰 ,  陈义旺

引用本文: 王晓峰, 陈义旺. 含氟聚酰亚胺接枝低聚倍半硅氧烷制备超低介电材料[J]. 应用化学, 2006, 23(5): 484-488. shu
Citation:  WANG Xiao-Feng, CHEN Yi-Wang. Ultra-low-ε Nanocomposites of Novel Fluorinated Polyimides Grafted with Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2006, 23(5): 484-488. shu

含氟聚酰亚胺接枝低聚倍半硅氧烷制备超低介电材料

    通讯作者: 陈义旺,男,1970年生,教授,博士生导师;E-mail:ywchen@ncu.edu.cn;研究方向:材料表面修饰、功能高分子合成
  • 基金项目:

    国家自然科学基金(50403016)资助项目 (50403016)

摘要: 通过热引发甲基丙烯酸环戊基-立方低聚倍半硅氧烷(R7R'Si8O12或POSS)(MA-POSS)与臭氧预处理的含氟聚酰亚胺(6F-Durene)自由基接枝共聚制得6F-Durene共价接枝包含立方低聚倍半硅氧烷(POSS)的聚甲基丙烯酸酯(PMA)支链的纳米复合物。用核磁共振(NMR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等测试技术分别对POSS/6F-Durene纳米复合物进行了结构表征及形貌观察。POSS/6F-Durene纳米复合物薄膜与未接枝的6F-Durene薄膜相比具有更低的介电常数ε(在2.5~2.0范围内)。

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  • 收稿日期:  2005-06-16
  • 网络出版日期:  2005-08-05
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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